SrTiO$_3$ (110) 表面的交错 FeSe 单层膜
超导电性
2016-07-20 v1
摘要
我们研究了各向异性 SrTiO (110) 表面上 FeSe 单层的电子与磁性质。由于衬底沿 方向的压缩应变，该 FeSe 单层具有交错的双分铁晶格，其在面外方向的高度差约为 0.06\AA。这种交错增强了共线反铁磁序与棋盘反铁磁序之间更强的磁阻挫，且应变使一个电子口袋和两个空穴口袋沿应变方向伸长，剩余的空穴口袋沿正交方向伸长。应变在 点诱导的能带分裂也可导致能带反转，从而将系统驱动至拓扑非平庸相。交错晶格上强超导抑制的缺失表明，超导配对可能对两个铁子晶格间相互作用与跳跃参数的改变不敏感。
引用
@article{arxiv.1601.04016,
title = {Staggered FeSe Monolayer on SrTiO$_3$ (110) surface},
author = {Xianxin Wu and Xia Dai and Yi Liang and Congcong Le and Heng Fan and Jiangping Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04016},
year = {2016}
}
备注
7 Pagges, 9 figures