Nb掺杂SrTiO$_3$上单层FeSe的电荷转移与电子-声子耦合
超导电性
2016-06-20 v1
摘要
在SrTiO衬底上生长的单层FeSe薄膜相对于块体为电子掺杂，并表现出显著更高的超导转变温度。我们给出了密度泛函计算以及一个改进的肖特基模型，该模型结合了SrTiO的强顺电性，表明掺杂可能是由于功函数失配所驱动的SrTiO杂质带电荷转移所致。研究表明，物理相关的Nb掺杂水平会导致与观测相符的FeSe掺杂。计算了FeSe中的电子与SrTiO耗尽区中的极化声子之间的耦合。发现；发现与长波声子的耦合占主导地位。
引用
@article{arxiv.1603.02728,
title = {Charge transfer and electron-phonon coupling in monolayer FeSe on Nb doped SrTiO$_3$},
author = {Yuanjun Zhou and Andrew J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.02728},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 4 figures