超导 LaO0.54F0.46BiS2 中费米面拓扑变化的邻近性
超导电性
2015-06-23 v1 材料科学
摘要
我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）研究了近最佳掺杂的新型超导体 LaOFBiS（ = 0.46）的电子结构。我们清晰地观测到了从 2 到 6 eV 结合能以及费米能级（）附近的能带色散，当考虑自旋轨道耦合时，这些结果与第一性原理计算吻合良好。 附近的 ARPES 强度图显示，除了 X(R) 点周围的类电子费米面（FS）片外，在(Z) 点周围还存在方形分布，这表明 LaOFBiS 的费米面非常接近理论预测的拓扑变化。
引用
@article{arxiv.1412.7786,
title = {Proximity to Fermi-surface topological change in superconducting LaO0.54F0.46BiS2},
author = {K. Terashima and J. Sonoyama and T. Wakita and M. Sunagawa and K. Ono and H. Kumigashira and T. Muro and M. Nagao and S. Watauchi and I. Tanaka and H. Okazaki and Y. Takano and O. Miura and Y. Mizuguchi and H. Usui and K. Suzuki and K. Kuroki and Y. Muraoka and T. Yokoya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7786},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 3 figures, + supplemental material