NiS_2表面金-绝缘交叉行为
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们对NiS及其相关Se掺杂化合物NiSSe进行了详尽的高分辨率电子光谱研究。这些材料在bulk中在所有温度下均为带隙绝缘体。然而，室温谱图在费米能级处表现出较大的谱权，结合实验探针的强表面灵敏性，表明表面层在300 K时为金属体。有趣的是，谱函数随温度降低的演化表现为在费米能级处的单粒子谱权持续耗竭，以及在特征温度以下发展出类似能隙结构，这提供了NiS及其相关化合物表面金-绝缘交叉行为的证据。这些结果提供了对这些系统中异常输运性质的一致描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308204,
title = {Metal-insulator Crossover Behavior at the Surface of NiS_2},
author = {D. D. Sarma and S. R. Krishnakumar and E. Weschke and C. Schussler-Langeheine and Chandan Mazumdar and L. Kilian and G. Kaindl and K. Mamiya and S. -I. Fujimori and A. Fujimori and T. Miyadai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308204},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 3 figures