NiS$_{2-x}$Se$_x$中的金属-绝缘体转变
强关联电子
2010-03-30 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们利用第一性原理能带结构结合电子关联的动力学平均场近似进行了理论研究，并通过红外和X射线吸收光谱进行了实验研究，探讨了NiS2中能隙的起源以及NiS2-xSex固溶体中压力和掺杂诱导的金属-绝缘体转变。S-S (Se-Se)二聚体中的成键-反成键分裂被确定为控制电荷能隙大小的主要参数。讨论了其对压力和Se掺杂驱动的金属-绝缘体转变的影响。
引用
@article{arxiv.0907.1745,
title = {Metal-insulator transition in NiS$_{2-x}$Se$_x$},
author = {J. Kunes and L. Baldassarre and B. Schachner and K. Rabia and C. A. Kuntscher and Dm. M. Korotin and V. I. Anisimov and J. A. McLeod and E. Z. Kurmaev and A. Moewes},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.1745},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 8 figures