过渡金属掺杂 ZnS 单层的第一性原理研究
材料科学
2017-11-16 v2
摘要
在密度泛函理论框架下，研究了本征及过渡金属掺杂 ZnS 单层的几何与电子性质。本征 ZnS 单层呈现约 2.8 eV 的直接带隙。所研究的过渡金属掺杂显示出从非磁性半导体到磁性体系的转变，例如 Co 掺杂 ZnS 为磁性半导体，Ni 掺杂 ZnS 单层为半金属。Co 掺杂 ZnS 单层具有更高的形成能，证实了其比 Ni 掺杂 ZnS 单层更强的成键。电子差分密度显示了过渡金属（Ni 和 Co）与 S 之间的电荷共享，证实了共价键的形成。
引用
@article{arxiv.1710.11051,
title = {Transition metal doped ZnS monolayer: The first principles insights},
author = {Rajneesh Chaurasiya and Ambesh Dixit},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.11051},
year = {2017}
}
备注
Accepted for Presentation in Interantional Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017) 2017; http://www.iwpsd.in/