半金属异质结构的密度泛函理论研究：硅中的间隙锰

利用广义梯度近似下的密度泛函理论，我们表明具有 1/4 层 $\delta$ 掺杂的{\em 间隙} Mn (Mn$_{\mathrm int}$) 的硅基异质结构是半金属的。对于 1/2 或 1 层的 Mn$_{\mathrm int}$ 浓度，$\delta$ 掺杂异质结构带隙中感生的态仍然表现出高自旋极化，分别约为 85% 和 60%。所提出的异质结构比以前假设的{\em 替代} Mn 的 $\delta$ 层更稳定。与普遍看法相反，本研究表明{\em 间隙} Mn 可用于调节硅的磁性，从而为硅基自旋电子学材料提供了新线索。