Mn:Si(1-x)Gex 基稀释磁性半导体生长的一种可能途径
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们系统地利用 ab initio 密度泛函理论计算，研究了 Mn 在 Si 和 Ge 中的空位掺杂与取代掺杂，以及在 Si(1-x)Gex 合金中的性质。我们指出，体积效应并非 Mn 倾向于在纯 Ge 中作为取代掺杂的主要原因，化学效应因此发挥重要作用。利用 Si(1-x)Gex 的现实模型，我们表明，当 x 约大于 0.16 时，Ge 富集区域内的取代 Mn 比空位 Mn 更稳定，这可能允许 Si 基稀释磁性半导体的生长。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310770,
title = {A possible route to grow a (Mn:Si(1-x)Gex)-based diluted magnetic semiconductor},
author = {Antonio J. R. da Silva and A. Fazzio and A. Antonelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310770},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 1 figure. Submitted for publication on October, 29th, 2003