掺杂Mn在Ge中Σ3 (112)晶界处的分布
材料科学
2010-05-24 v1
摘要
利用第一性原理密度泛函理论方法，我们研究了掺杂Mn原子在Ge中Σ3 (112)晶界附近的分布和磁性。我们发现，在低浓度下，Mn的替位位点在能量上优于间隙位点。Mn的结合能随晶界区域中的晶格位点而变化，因此Mn在晶界附近呈现非均匀分布。然而，其偏聚能的平均值很小，因此预测Mn不会发生显著的晶界偏聚。由于晶界处的体积膨胀，Mn的自旋极化略有增强。总体而言，我们发现Mn掺杂Ge的磁性对晶粒结构不敏感。
引用
@article{arxiv.1005.3904,
title = {Distribution of doped Mn at the \Sigma 3 (112) grain boundary in Ge},
author = {W. Wang and S. L. Zhang and Z. X. Tian and W. Xiao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3904},
year = {2010}
}
备注
18 pages, 5 figures