Mn δ掺杂立方GaN中的磁性：密度泛函理论研究
材料科学
2009-01-20 v1
摘要
利用密度泛函理论计算研究了12.5%和25% Mn δ掺杂立方GaN中的磁性。结果表明，单层δ掺杂和半δ掺杂结构表现出稳健的基态半金属铁磁性(HMF)，而双层δ掺杂结构表现出稳健的基态反铁磁性(AFM)，每个Mn-Mn对的翻转能为479.0 meV。δ掺杂结构表现出增强的二维磁性。我们使用简单的晶体场模型讨论了HMF的起源。最后，我们讨论了基于Mn掺杂GaN的反铁磁/铁磁异质结构。
引用
@article{arxiv.0901.2820,
title = {Magnetism in Mn delta-doped cubic GaN: density-functional theory studies},
author = {Xingtao Jia and Wei Yang and Minghui Qin and Xinglai Zhang and Xindong Cui and Mingai Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.2820},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 figures, 36 references