(Ga,Mn)N纳米晶中的反铁磁序：密度泛函理论研究
介观与纳米尺度物理
2015-03-13 v3
摘要
我们利用密度泛函理论研究了(Ga,Mn)N纳米晶的电子和磁学性质。我们研究了掺杂一个或两个替代式Mn杂质的纤锌矿和闪锌矿结构。对于靠近表面的单个Mn掺杂剂，空Mn诱导态（以下称为“Mn空穴”）的行为与体相(Ga,Mn)N不同。这个偏心Mn空穴对应的能级位于纳米晶带隙内靠近导带边的位置。对于两个Mn掺杂剂，最稳定的磁构型是反铁磁的，这是出乎意料的，因为体相(Ga,Mn)N在基态下表现出铁磁性。两个Mn自旋的这种令人惊讶的反铁磁排列也被归因于与靠近表面的Mn杂质相关的空穴。与体相(Ga,Mn)N中的Mn空穴不同，受限(Ga,Mn)N纳米结构中的这些Mn空穴对两个Mn自旋的铁磁排列没有贡献。
引用
@article{arxiv.1003.0599,
title = {Antiferromagnetic order in (Ga,Mn)N nanocrystals: A density functional theory study},
author = {C. Echeverría-Arrondo and J. Pérez-Conde and A. Ayuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0599},
year = {2015}
}