Mn 掺杂 GaN 的铁磁性：从团簇到晶体
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
利用团簇的分子轨道理论和晶体的线性糕模轨道-紧束缚表述（LMTO-TB），从第一性原理研究了 GaN 团簇和晶体中掺杂 Mn 原子间的磁耦合。基于密度泛函理论和交换关联广义梯度近似的计算表明，该耦合为铁磁耦合，且每个 Mn 原子的磁矩在 2.0 到 4.0 玻尔磁子之间，具体取决于其环境。Mn 原子也倾向于聚集，并且与 Ga 原子相比，更强烈地与 N 原子结合。Mn 与 GaN 团簇的显著结合进一步表明，通过使用提供大量内表面位点的多孔衬底，有可能提高 GaN 中的 Mn 浓度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208257,
title = {Ferromagnetism in Mn-doped GaN: From Clusters to Crystals},
author = {G. P. Das and B. K. Rao and P. Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208257},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 2 figures