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Cr 掺杂 GaN 的铁磁性：第一性原理计算

材料科学 2007-05-23 v1

作者: G. P. Das , B. K. Rao , P. Jena

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摘要

结果表明，原本反铁磁性的铬在掺杂入 GaN 时会表现出铁磁耦合，无论宿主是晶体还是团簇。掺杂团簇和晶体的结果分别由基于密度泛函理论的分子轨道理论和线性糕模轨道紧束缚超胞能带结构方法获得。计算得到的 Cr 掺杂 GaN 晶体的半金属特性，结合观测到的室温居里点，使其成为自旋电子学应用的理想候选材料。

关键词

铁磁性 Cr 掺杂 GaN 第一性原理计算密度泛函理论半金属性自旋电子学

引用

@article{arxiv.cond-mat/0208258,
  title  = {Ferromagnetism in Cr-doped GaN: A First Principles Calculation},
  author = {G. P. Das and B. K. Rao and P. Jena},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208258},
  year   = {2007}
}

备注

17 pages, 4 figures