第一性原理研究Cr掺杂AlN稀磁半导体中的氮缺陷与铁磁性
材料科学
2008-11-15 v1
摘要
据报道，通过多种方法制备的Cr掺杂AlN稀磁半导体具有高达900 K的居里温度，这对于自旋电子学应用而言令人振奋。人们认为，氮缺陷在优质样品实现高温铁磁性中起着重要作用。受这些实验进展的启发，我们采用全势密度泛函理论方法和超胞方法，研究了含氮空位(V_N)的(Al,Cr)N中的氮缺陷及其对铁磁性的影响。计算结果与实验观察以及真实Cr掺杂AlN样品及其合成的事实相符。我们的第一性原理结果有助于阐明铁磁性机制，并探索高性能Cr掺杂AlN稀磁半导体。
引用
@article{arxiv.0810.5048,
title = {Nitrogen defects and ferromagnetism of Cr-doped AlN diluted magnetic semiconductor from first principles},
author = {Li-Jie Shi and Li-Fang Zhu and Yong-Hong Zhao and Bang-Gui Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.5048},
year = {2008}
}
备注
8 pages with figures included