纳米尺度不均匀性：稀释材料中实现高居里温度铁磁性的新途径
材料科学
2012-01-24 v2 无序系统与神经网络
摘要
室温铁磁性一直是当今新兴自旋电子学领域中最受追捧的主题之一。人们强烈认为，无缺陷和无不均匀性的样品生长应是实现室温铁磁性的最佳途径，并为尽可能“干净”地生长样品付出了巨大努力。然而，直到现在，在稀掺杂区域，很难获得高于退火良好的(Ga,Mn)As样品（12%掺杂时约190 K）中所测得的居里温度。在本工作中，我们提出了一种在稀磁半导体中实现室温铁磁性的创新途径。我们在理论上证明，即使极小浓度的纳米尺度不均匀性也能导致临界温度的大幅提升：相较于均匀情况增幅高达1600%。除了非常详细的分析外，我们还对(Ga,Mn)N中观察到的临界温度的巨大差异给出了合理的解释，并更好地理解了在某些情况下偶尔测得的极高居里温度的可能起源。通过纳米尺度团簇夹杂引起的有序温度的巨幅增加，应将为合成与自旋电子学功能相关的材料开辟一个新方向。
引用
@article{arxiv.1111.4355,
title = {Nanoscale inhomogeneities: A new path toward high Curie temperature ferromagnetism in diluted materials},
author = {Akash Chakraborty and Richard Bouzerar and Stefan Kettemann and Georges Bouzerar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.4355},
year = {2012}
}
备注
16 pages, 4 figures, New references added and Text revised to match the accepted version