Cr掺杂AlN薄膜的合成、表征与建模
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们报告了对Cr掺杂AlN的理论与实验研究。密度泛函计算预测，AlN中孤立Cr t2缺陷能级为1/3满，位于能隙中约1/2处，并在浓度超过5%时扩展为杂质能带。对于0.05 <= x <= 0.15的替代性Al1-xCrxN随机合金，预测其Curie温度超过600 K。实验上，我们对分子束外延薄膜生长过程进行了表征和优化，观察到室温磁性铁磁性，铁磁 coercive 场Hc为120 Oersted。测量的磁化率指示，在室温下超过33%的Cr具有磁学活性，在低温下为40%。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0212459,
title = {Synthesis, characterization and modeling of high quality ferromagnetic Cr-doped AlN thin films},
author = {Stephen Y. Wu and H. X. Liu and Lin Gu and R. K. Singh and L. Budd and M. van Schilfgaarde and M. R. McCartney and David J. Smith and N. Newman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212459},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures, submitted to APL