铬掺杂氢化非晶硅薄膜的室温铁磁性
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
在通过射频磁控溅射沉积的铬掺杂氢化非晶硅薄膜中，观测到了高于室温的铁磁性。结构分析表明，薄膜是非晶态的，在高达 16 原子百分比的铬溶解度极限内没有任何可检测到的沉淀物。实验结果表明，氢化对薄膜的磁性、电导率和载流子浓度有显著影响。显著的反常霍尔效应和磁化曲线都表明，铁磁性的起源可能源于磁极化子的渗流。
引用
@article{arxiv.0901.4123,
title = {Room temperature ferromagnetism in Cr-doped hydrogenated amorphous Si films},
author = {Jia-Hsien Yao and Hsiu-Hau Lin and Tsung-Shune Chin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.4123},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 4 figures