绝缘铁磁半导体 (Al,Fe)Sb 的生长与表征
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
我们研究了通过分子束外延生长的 Fe 掺杂铁磁半导体 (Al1-x,Fex)Sb 薄膜（最高 x = 14%）的晶体结构、输运和磁学性质。所有样品在室温下显示 p 型导电，在低温下显示绝缘行为。x 小于等于 10% 的 (Al1-x,Fex)Sb 薄膜保持了宿主材料 AlSb 的闪锌矿晶体结构。x = 10% 的 (Al1-x,Fex)Sb 薄膜表现出本征铁磁性，居里温度 (TC) 为 40 K。在 x = 14% 的 (Al1-x,Fex)Sb 薄膜中，观察到迁移率和 TC 的突降，这可能是由于微观相分离。在 (Al,Fe)Sb 中观测到的铁磁性为实现与成熟 III-V 半导体器件兼容的自旋过滤隧穿势垒铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1509.03430,
title = {Growth and characterization of insulating ferromagnetic semiconductor (Al,Fe)Sb},
author = {Le Duc Anh and Daiki Kaneko and Pham Nam Hai and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.03430},
year = {2016}
}
备注
Manuscript and Supplemental Material, all 18 pages