Cr 掺杂 V$_2$O$_3$ 薄膜中低温绝缘态的坍塌
强关联电子
2015-09-22 v1
摘要
我们通过氧辅助分子束外延在 -AlO 上生长了 Cr 浓度介于 和 之间的外延 Cr 掺杂 VO 薄膜。对于高掺杂样品（> ），测得电阻随温度降低而规律且单调增加。引人注目的是，在低掺杂样品（介于 和 之间）中，观察到绝缘态的坍塌，低温电阻率降低了多达 5 个数量级。对薄膜进行高温真空退火可使掺杂水平低于 的样品恢复低温绝缘态，并使室温电阻率趋近于 Cr 掺杂 VO 单晶的值。众所周知，氧过量在 VO 单晶中稳定金属态。因此，我们提出在沉积过程中 Cr 掺杂促进了薄膜中的氧过量，从而导致低 Cr 浓度下低温绝缘态的坍塌。这些结果表明，轻微 Cr 掺杂的 VO 薄膜可能是场效应器件的理想候选材料。
引用
@article{arxiv.1509.05866,
title = {Collapse of the low temperature insulating state in Cr-doped V$_2$O$_3$ thin films},
author = {Pía Homm and Leander Dillemans and Mariela Menghini and Bart Van Bilzen and Petar Bakalov and Chen-Yi Su and Ruben Lieten and Michel Houssa and Davoud Nasr Esfahani and Lucian Covaci and Francois Peeters and Jin Won Seo and Jean-Pierre Locquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.05866},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures