掺杂对氧化钒凝胶薄膜性质的影响
材料科学
2020-06-14 v1
摘要
研究了H和W掺杂对由V2O5凝胶衍生的V2O5和VO2性质的影响。结果表明，在低温度RF氢等离子体中处理V2O5 1至10分钟，根据处理条件不同，会导致五氧化二钒的水化或其还原为低价钒氧化物。对于部分在放电活性区接受等离子体处理的样品，观察到非寻常的电阻温度依赖关系，在T ~ 100 K处出现极大值。对于W掺杂的VO2薄膜，结果表明V4+被W6+取代导致金属-绝缘体转变温度降低。此外，已表明初始薄膜掺杂约3 at.%的W可减小基于V2O5凝胶薄膜、具有S形I-V特性的开关器件阈值参数的统计散布。
引用
@article{arxiv.2001.02402,
title = {Influence of doping on the properties of vanadium oxide gel films},
author = {Alexander Pergament and Andrei Velichko and Olga Berezina and Elena Kazakova and Nikolai Kuldin and Dmitri Artyukhin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.02402},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 4 figures