通过梯度W掺杂增强VO$_2$薄膜的无源热隐身特性
应用物理
2021-05-14 v1 材料科学
摘要
热隐身与伪装已被深入研究,以使物体融入背景从而对抗远程热成像探测。红外发射率的自适应控制作为一种有前景的热隐身方式已被广泛探索,但其仍需要额外的反馈控制。然而,发射率的无源调制仍是一项巨大挑战,其需要在宽温度范围内对发射率进行精确调控。在此,我们报道了一种无源伪装薄膜的显著改进,其能够在近室温下无需任何反馈控制即可隐藏热物体,该薄膜由具有梯度钨(W)浓度的二氧化钒(VO2)层构成。梯度W掺杂拓宽了金属-绝缘体转变宽度,以发射率的平滑变化实现了自适应热隐身。我们这一简单方法可应用于其他类似热伪装材料以改善其无源隐藏能力,并将找到广泛应用,如被动热伪装、城市节能智能窗以及改进的红外传感器。
引用
@article{arxiv.2105.06063,
title = {Enhanced passive thermal stealth properties of VO$_2$ thin films via gradient W doping},
author = {Hyuk Jin Kim and Young Hwan Choi and Dong Kyu Lee and In Hak Lee and Byoung Ki Choi and Soo-Hyun Phark and Young Jun Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.06063},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 4 figures