用于可靠大面积宽带 THz 波调制器的电激活 W 掺杂 VO2 薄膜
材料科学
2025-04-10 v2
摘要
THz 幅度调制器和开关被视为未来 THz 通信系统的主要构件。尽管取得了快速进展，但该电磁谱中调制和开关设备仍远落后于其他频率范围。当前，THz 调制器面临在大频带内持续获得高调制深度的主要挑战。此外，实用应用需要便捷的集成，要求调制/开关属性可以电气控制。满足所有这些条件的器件尚未实现。本文展示了通过直流磁浆喷射生长的 W 掺杂 VO2 薄膜，可高效用于开发可靠的大面积宽带 THz 波调制器。我们证明，W 掺杂不仅允许调节 VO2 的绝缘到金属转变 (IMT) 温度，更重要的是，控制电气激活转变的拓扑结构。对器件进行原位/原位 X 衍射和拉曼光谱表征，结合常规电阻率测量和时域 THz 光谱，明确证明 IMT 的空间分布变化是由 W 掺杂诱导的结构畸变所致。
引用
@article{arxiv.2407.18080,
title = {Electrically activated W-doped VO2 films for reliable, large-area, broadband THz waves modulators},
author = {Eduard-Nicolae Sirjita and Alexandre Boulle and Jean-Christophe Orlianges and Richard Mayet and Aurélien Debelle and Lionel Thomé and Maggy Colas and Julie Cornette and Aurelian Crunteanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.18080},
year = {2025}
}