CrN 薄膜的 Reststrahlen 带和光学带隙
材料科学
2025-12-01 v1
摘要
我们对厚度为 200 nm 的 CrN(111) 薄膜进行了全面的光学表征，这些薄膜同时生长于 AlO(0001) 和 AlN/AlO(0001) 上，使用等离子体辅助分子束沉积技术。覆盖远红外至紫外范围（0.04 - 5.5 eV）的光谱椭圆测量在室温下进行，以确定薄膜的光学常数 和 。光谱拟合显示在约 0.35 和 0.60 eV 处分别存在两个带内跃迁。在红外范围，椭圆数据还揭示了一个显著的 Reststrahlen 带，源于横向和纵向光声子，分别位于约 403 和 629 cm 处。相对静态和高频介电常数分别估计为约 39 和 15。从远红外区提取的 Born 有效电荷约为 2.7，表明 CrN 具有部分离子特性。
引用
@article{arxiv.2511.22484,
title = {Reststrahlen band and optical bandgaps in semiconducting CrN films},
author = {Duc V. Dinh and Xiang Lü and Oliver Brandt and Dilara Sen and Olivia Fairlamb and Frank Peiris and Farihatun Lima and Alexander Bordovalos and Suresh Chaulagain and Ambalanath Shan and Nikolas J. Podraza},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.22484},
year = {2025}
}