锰掺杂铁磁半导体中的自掺杂现象
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们提出了关于锰离子掺杂铁磁半导体中锰离子自掺杂的理论。利用密度泛函理论，我们表明在生长过程中的非平衡条件下，锰离子易于通过简单的低能吸附路径在表面附近形成。在GaAs中，孤立的锰离子作为电子供体，每掺杂两个替代性锰接受体进行补偿。在杂质带模型中，部分补偿促进铁磁有序形成，使得金属-绝缘体转变以下的最高Curie温度发生于每替代性锰掺杂0.5个空穴时。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209329,
title = {Self-compensation in manganese-doped ferromagnetic semiconductors},
author = {Steven C. Erwin and A. G. Petukhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209329},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, to appear in Phys. Rev. Lett