p型掺杂MoS2单层中的巡游铁磁性
材料科学
2019-06-26 v1
摘要
利用密度泛函理论探究了通过向构成价带顶的窄Mo 4d带中引入空穴，在半导体性MoS2单层诱导杂质带铁磁性的可能性。研究发现，束缚于替代式受主杂质V、Nb和Ta的未配对自旋具有很大的面外各向异性，除最短间距外均呈铁磁耦合。以依赖于间距的交换相互作用作为蒙特卡洛计算的输入，我们估算了有序温度随杂质浓度的变化关系。对于约9%的V杂质，预测居里温度超过160 K。解释了在短间距下限制有序温度的孤对形成现象，并提出了规避该限制的方法。
引用
@article{arxiv.1906.10433,
title = {Itinerant Ferromagnetism in p-doped Monolayers of MoS2},
author = {Yuqiang Gao and Nirmal Ganguli and Paul J. Kelly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.10433},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures