新型磁性半导体 InMnP 中的铁磁性与杂质能带
材料科学
2014-04-09 v1
摘要
我们通过 Mn 离子注入和脉冲激光退火合成了铁磁性 InMnP，这是 III-Mn-V 族铁磁性半导体家族的一员。在高达 42 K 的居里温度下，观察到了清晰的铁磁滞回线和垂直磁各向异性。巨大的负磁阻、磁圆二色性以及反常霍尔效应进一步证明了 InMnP 中存在铁磁有序。我们尝试利用理论模型来理解 InMnP 中的输运机制。研究发现，InP 的价带并未与重掺杂铁磁性 InMnP 的杂质能带合并。我们的结果表明，杂质能带导电是具有深 Mn 受主能级的 Mn 掺杂 III-V 族半导体的一个特征。
引用
@article{arxiv.1404.2023,
title = {Ferromagnetism and impurity band in a new magnetic semiconductor: InMnP},
author = {M. Khalid and E. Weschke and W. Skorupa and M. Helm and S. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.2023},
year = {2014}
}
备注
12 pages, 5 figures