高温铁磁半导体中的杂质带导电

通过光学光谱学，我们研究了典型稀磁半导体Ga$_{1-x}$Mn$_{x}$As在整个相图中的能带结构。我们证明了费米能级($E_{F}$)位于Mn诱导的杂质带(IB)中。这一结论基于对光学电导率($\sigma_{1}(\omega,T)$)的频率和温度依赖性的仔细分析。从我们对$\sigma_{1}(\omega,T)$的分析中，我们推断出载流子具有大的有效质量($m^*$)，支持导电发生在IB中的观点。我们的结果也为Mn掺杂GaAs的输运性质提供了有用的见解。