(Ga,Mn)As外延层中$E_{1}$和$E_{1}$+${\Delta}_{1}$光学跃迁的分析
材料科学
2013-12-16 v1
摘要
稀磁(Ga,Mn)As已成为一种模型铁磁半导体，然而关于其磁性的来源仍存在分歧。分歧源于结果表明空穴介导的铁磁性位于价带或杂质带。充分理解GaAs中Mn态的特性可以提高(Ga,Mn)As的居里温度。在本文中，我们验证了椭偏结果，并与更精确的光反射方法进行了比较，这为Mn杂质态与GaAs价带的相互作用提供了新的见解。确实，对于高掺杂和退火的(Ga,Mn)As外延层，和+带间跃迁能量并未证实分离的Mn杂质带与价带之间的相互作用。因此，Mn态与GaAs价带合并的描述与我们的结果一致。我们的发现得到了高分辨率透射显微镜和磁化测量的支持。
引用
@article{arxiv.1312.3930,
title = {Analysis of the $E_{1}$ and $E_{1}$ +${\Delta}_{1}$ optical transitions in (Ga,Mn)As epitaxial layers},
author = {L. Gluba and O. Yastrubchak and G. Sek and W. Rudno-Rudziński and J. Sadowski and M. Kulik and W. Rzodkiewicz and M. Rawski and T. Andrearczyk and T. Wosinski and J. Żuk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3930},
year = {2013}
}