低掺杂 (Ga,Mn)As 中的电子结构与能带结构演化
材料科学
2015-06-16 v1
摘要
应用调制光反射光谱和拉曼光谱研究了 Mn 掺杂含量在低范围（高达 1.2%）内增加时，(Ga,Mn)As 外延层中的电子结构和能带结构演化。分别利用高分辨率 X 射线衍射和 SQUID 磁强计表征了层的结构和磁性。在具有 n 型电导率的极低掺杂 (Ga,Mn)As 层中，观察到带隙跃迁能量随 Mn 含量增加而降低，这一结果被解释为 Mn 相关杂质带与宿主 GaAs 价带合并的结果。另一方面，在具有较高 Mn 含量和 p 型电导率的 (Ga,Mn)As 层中，带隙跃迁能量随 Mn 含量增加而增加，这表明由于费米能级位于由自由空穴浓度决定的价带内，吸收边发生了 Moss-Burstein 位移。实验结果与 (Ga,Mn)As 稀磁半导体中由移动空穴介导的铁磁有序起源于价带的观点一致。
引用
@article{arxiv.1305.4056,
title = {Electronic- and band-structure evolution in low-doped (Ga,Mn)As},
author = {O. Yastrubchak and J. Sadowski and H. Krzyzanowska and L. Gluba and J. Zuk and J. Z. Domagala and T. Andrearczyk and T. Wosinski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4056},
year = {2015}
}
备注
20 pages, 5 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1012.4760