(Ga,Mn)As光学性质中锰掺杂趋势的系统研究
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
我们报告了对(Ga,Mn)As外延层光学性质的系统研究，涵盖了可达到的替代Mn_Ga掺杂的广泛范围。针对每种标称锰掺杂，优化了生长和生长后退火工艺，以获得尽可能接近均匀无补偿的(Ga,Mn)As混合晶体。我们在中红外吸收光谱中观察到一个宽峰，其位置随着锰掺杂的增加而呈现明显的蓝移。在可见光范围内，磁圆二色性中的一个峰随着锰掺杂的增加而蓝移。这些观察到的趋势证实，对于具有金属导电性的高掺杂(Ga,Mn)As，无序展宽的价带态比假设费米能级钉扎在窄杂质带中的能谱能更好地提供其电子结构的单粒子表示。
引用
@article{arxiv.1007.4708,
title = {Systematic study of Mn-doping trends in optical properties of (Ga,Mn)As},
author = {T. Jungwirth and P. Horodyska and N. Tesarova and P. Nemec and J. Subrt and P. Maly and P. Kuzel and C. Kadlec and J. Masek and I. Nemec and V. Novak and K. Olejnik and Z. Soban and P. Vasek and P. Svoboda and Jairo Sinova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.4708},
year = {2015}
}
备注
22 pages, 14 figures