论 Mg 掺杂 GaN 中蓝发光的起源
材料科学
2019-01-23 v2
摘要
我们结合实验性 X 射线近边吸收谱 (XANES)、基于密度泛函理论的第一性原理计算，以及对各种可能缺陷复合体及其 XANES 特征的全多重散射理论分析，揭示了 Mg 掺杂 GaN 薄膜中蓝发光 (BL) 峰的起源。我们证明，由 Ga 位取代的 Mg (MgGa) 与间隙位 Mg (Mgi) 组成的缺陷复合体，通过与带隙中深施主态相关的施主-受主对跃迁 (DAP)，是观察到的 BL 的主要原因。这与重 Mg 掺杂 GaN 中 N (Ga) 的氧化态高于（低于）其原始结构有关，这在我们的实验和计算中均很明显。本文确定的物理和化学机制指明了实现高效 p 型 GaN 的途径。
引用
@article{arxiv.1708.04036,
title = {On the origin of Blue Luminescence in Mg doped GaN},
author = {Sanjay Nayak and Mukul Gupta and Umesh V. Waghmare and S. M. Shivaprasad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.04036},
year = {2019}
}