GaN 黄光发光相关表面态及其与空气的相互作用
材料科学
2023-04-10 v2
摘要
黄光发光（YL）大概是 GaN 中研究历史最长且被研究最多的缺陷相关发光带，但其电子结构或化学身份仍不清楚。迄今为止大多数理论工作将该特征归因于体缺陷，而光谱研究则暗示表面起源。本文中，我们应用使用亚带隙表面光电压的深能级谱，其提供表面电荷密度的能量分布。在相同或不同表面处理前后于相同条件下获得的表面电荷谱的比较揭示了表面电荷密度的动力学。进一步与利用光致发光获得的整个态的谱比较，显示了 YL 相关缺陷中存储的电荷密度如何在真空中的轻度退火下被消除。这表明 YL 相关缺陷涉及吸附在 GaN 表面的某种分子，可能还与本征表面缺陷形成复合体。所观测到的与空气的相互作用强烈指示 YL 相关深能级是一个表面态。
引用
@article{arxiv.2208.08663,
title = {The GaN yellow-luminescence-related surface state and its interaction with air},
author = {Yury Turkulets and Nitzan Shauloff and Or Haim Chaulker and Yoram Shapira and Raz Jelinek and Ilan Shalish},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.08663},
year = {2023}
}
备注
Added US DOD Document Control Number (DCN) and distribution statement