AlGaN/GaN界面量子化能态的阴极发光
仪器与探测器
2024-01-12 v1
摘要
高电子迁移率晶体管和光电器件制造的最新进展凸显了理解异质结构内部电荷动力学及其对光学特性影响的必要性。在此，我们利用阴极发光和光致发光光谱研究了GaN/AlGaN/GaN异质结构的光学特性。我们探讨了电子照射后产生的二次载流子及其穿透深度对发光光谱的影响。我们的发现表明，较高的激光功率会增强光致发光响应并建立类法布里-珀罗共振。此外，对于黄光发光峰，阴极发光响应强度与电子束的加速电压和电流呈线性关系。仅当用高电流照射样品时，才观察到一个近红外阴极发光峰（740 nm），这归因于二次电子在肖特基势垒内的俘获以及对二维电子气和势垒内量子限制态的操控。自洽泊松-薛定谔模拟验证了这一观点。本研究揭示了与电子束和异质结构系统相互作用相关的复杂电荷动力学，为半导体器件中的创新光电器件应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2401.05748,
title = {Cathodoluminescence of quantized energy states at AlGaN/GaN interface},
author = {Fatemeh Chahshouri and Masoud Taleb and Maximilian Black and Michael Mensing and Nahid Talebi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.05748},
year = {2024}
}