为电子束泵浦紫外激光器设计的 AlGaN/GaN 非对称渐变折射率分别限制异质结构
光学
2021-04-28 v3 材料科学
应用物理
摘要
我们展示了一项针对设计为电子束泵浦紫外激光器的未掺杂 AlGaN/GaN 分别限制异质结构的研究。我们讨论了自发极化和压电极化对载流子扩散的影响，将阴极荧光结果与能带结构的电子学模拟及电子轨迹的蒙特卡洛计算进行比较。采用非对称渐变折射率分别限制异质结构（GRINSCH）可显著改善载流子收集。渐变层避免了由异质结构中极化差异引起的势垒，并作为应变过渡缓冲层，降低了有源区的镶嵌度和自发发射的线宽。
引用
@article{arxiv.2101.01954,
title = {AlGaN/GaN asymmetric graded-index separate confinement heterostructures designed for electron-beam pumped UV lasers},
author = {Sergi Cuesta and Yoann Curé and Fabrice Donatini and Lou Denaix and Edith Bellet-Amalric and Catherine Bougerol and Vincent Grenier and Quang-Minh Thai and Gilles Nogues and Stephen T. Purcell and Le Si Dang and Eva Monroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.01954},
year = {2021}
}