AlGaN基紫外发射分别限制异质结构中内量子效率与激光阈值的去相关
应用物理
2021-10-27 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
本文中，我们研究了为紫外激光发射设计的AlGaN/GaN分别限制异质结构的内量子效率与激光阈值，讨论了载流子局域化与载流子扩散对光学性能的影响。渐变折射率分别限制异质结构的实现改善了多量子阱处的载流子收集，从而促进粒子数反转并降低激光阈值。然而，这一改善与自发辐射的内量子效率无关。我们表明，合金不均匀性处的载流子局域化导致辐射效率增强，但并未降低对载流子注入效率更为敏感的激光阈值。
引用
@article{arxiv.2109.10672,
title = {Decorrelation of internal quantum efficiency and lasing threshold in AlGaN-based separate confinement heterostructures for UV emission},
author = {Sergi Cuesta and Lou Denaix and Le Si Dang and Eva Monroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.10672},
year = {2021}
}