量子沟道 AlGaN/GaN/AlGaN 高电子迁移率晶体管
介观与纳米尺度物理
2023-11-28 v1 应用物理
摘要
将双异质结 AlGaN/GaN/AlGaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）中的 GaN 沟道缩减至约等于甚至小于玻尔半径的厚度时，即便在较低面载流子密度下，电子也会被限制在量子阱中。与常规设计不同，这种量子沟道（QC）限制由外延层设计与极化场控制，而非由电子面密度控制。因此，在低面载流子密度下，击穿场强因量子化导致有效带隙增大而提升约 36% 甚至更多。此外，更好的限制使低面载流子密度下的电子迁移率提高约 50%。另一优势在于可提高势垒层中的铝摩尔分数，因为极薄层可阻止材料弛豫与位错阵列的产生。这使得 QC 特别适用于高压、高频、高温及抗辐射应用。
引用
@article{arxiv.2311.14672,
title = {Quantum Channel AlGaN/GaN/AlGaN High Electron Mobility Transistor},
author = {G. Simin and M. Shur},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.14672},
year = {2023}
}
备注
7 pages 6 figures