AlGaN/GaN HEMT的尺度问题：通过器件几何建模进行性能优化
其他凝聚态物理
2007-05-23 v2
摘要
HEMT中源漏间的势垒以及MOSFET中源阱间的势垒控制着器件的输出电流和电子在通道中的注入速度[1], [2]。在非自对准结构中，固定施加电压下，沿通道的电场行为由电极位置决定。然而，在GaAs基HEMT中，器件几何对输出电流影响不大 due to饱和效应。相反，GaN技术仍有可能通过优化电极间距来提高器件的输出电流。本文将 presenting Monte Carlo 模拟结果，表明减小源漏距离可提高器件性能，导致源漏间势垒增大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510049,
title = {Scaling issues for AlGaN/GaN HEMTs: performance optimization via devices geometry modelling},
author = {S. Russo and A. Di Carlo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510049},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 5 figures