用于提升AlGaN/GaN HEMT击穿电压的蜿蜒栅边缘
应用物理
2020-04-22 v1
摘要
在本快报中，我们报道了一种独特的器件设计策略，通过对栅极朝向漏极的边缘进行工程设计，来提高III族氮化物HEMT的击穿电压，从而提高Baliga优值（BFOM）。研究发现，具有蜿蜒栅-漏访问区（M-HEMT）的此类器件的击穿电压比传统HEMT高62%，而导通电阻增加了76%，导致BFOM整体提升28%。3D-TCAD仿真表明，栅边缘峰值电场的降低是击穿电压提高的原因。
引用
@article{arxiv.1905.01922,
title = {Meandering gate edges for breakdown voltage enhancement in AlGaN/GaN HEMTs},
author = {Sandeep Kumar and Surani B. Dolmanan and Sudhiranjan Tripathy and Rangarajan Muralidharan and Digbijoy N. Nath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.01922},
year = {2020}
}