高压（>650V）共漏极双向 AlGaN/GaN HEMT 的综合性 TCAD 仿真研究
应用物理
2024-10-25 v3
摘要
对单片共漏极双向 GaN HEMT 进行了广泛的 TCAD 仿真分析。我们采用 4 微米和 6 微米的栅间距，器件经两个场板优化。击穿电压分别为 675V 和 915V。在两个栅极附近引入场板同时在晶体管两端相反末端产生电场峰值。这带来了更好的电场管理或单位长度更高的阻断电压。因此，该 675V 单片双向 HEMT 相比其 650V 典型串/并联对应器件，导通电阻显著改善了 40%。
引用
@article{arxiv.2304.04648,
title = {Comprehensive TCAD Simulation Study of High Voltage (>650V) Common Drain Bidirectional AlGaN/GaN HEMTs},
author = {Md Tahmidul Alam and Chirag Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.04648},
year = {2024}
}
备注
3 pages, 7 figures