通过栅极掺杂工程改善 p-GaN 栅极 HEMT 的栅极可靠性
应用物理
2021-06-04 v1 材料科学
摘要
我们提出了一种新颖的 p-GaN 栅极 HEMT 结构，通过在 MOCVD 中进行掺杂工程降低肖特基界面附近的空穴浓度，旨在降低栅极上的电场。通过采用一层额外的非故意掺杂 GaN 层，栅极泄漏电流被抑制，栅极击穿电压从 10.6 V 提升至 14.6 V，而对阈值电压和导通电阻的影响可忽略。随时间变化的栅极击穿测量显示，在 1% 栅极失效率下，10 年寿命的最大栅极驱动电压从 6.2 V 提升至 10.6 V。该方法在不增加任何其他工艺步骤的情况下，有效拓展了 p-GaN 栅极 HEMT 的工作电压裕度。
引用
@article{arxiv.2106.01495,
title = {Improved Gate Reliability of p-GaN Gate HEMTs by Gate Doping Engineering},
author = {Guangnan Zhou and Fanming Zeng and Rongyu Gao and Qing Wang and Kai Cheng and Guangrui Xia and Hongyu Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.01495},
year = {2021}
}