一种用于性能改善的阶梯氧化物异质材料栅极沟槽功率MOSFET
材料科学
2010-08-19 v1
摘要
在这项工作中，我们提出了一种新型的阶梯氧化物异质材料沟槽(SOHMT)功率MOSFET，其沟槽栅极具有三个部分（一个N+多晶硅栅极夹在两个P+多晶硅栅极之间），并且具有不同的栅极氧化物厚度（从源极侧到漏极侧递增）。不同的栅极氧化物厚度同时实现了以下两个目的：(i) 对沟道电荷的良好栅极控制，以及 (ii) 更小的栅极到漏极电容。因此，我们获得了更高的跨导以及更低的开关延迟，使得所提出的器件适用于射频放大和高速开关应用。此外，具有不同功函数栅极材料的夹层栅极改变了沟道中的电场分布，从而提高了击穿电压。通过二维仿真，我们表明，与传统的沟槽栅极MOSFET相比，所提出的器件结构在击穿电压上提高了约32%，开关延迟降低了25%，峰值跨导提高了20%，品质因数（导通电阻与栅极电荷的乘积）降低了10%。
引用
@article{arxiv.1008.3022,
title = {A Stepped Oxide Hetero-Material Gate Trench Power MOSFET for Improved Performance},
author = {Raghvendra S. Saxena and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3022},
year = {2010}
}
备注
http://web.iitd.ac.in/~mamidala/