一种新型应变硅沟道槽栅功率MOSFET：设计与分析
材料科学
2010-08-19 v1
摘要
本文提出了一种具有应变硅沟道的新型沟槽功率MOSFET，其导通电阻低于常规沟槽MOSFET。通过在漂移区中使用具有20% Ge摩尔分数的Si1-xGex体区以及组分渐变的Si1-xGex缓冲层，我们能够在沟道中产生应变，同时在积累区产生渐变应变。结果表明，与常规沟槽栅MOSFET相比，所提出的结构在仅牺牲12%击穿电压的代价下，实现了电流驱动能力提升40%、导通电阻降低28%以及峰值跨导提高72%。此外，渐变应变积累区有助于将载流子限制在沟槽侧壁附近，改善了台面结构中的电场分布，有利于在电感开关过程中获得更好的抗损伤能力。
引用
@article{arxiv.1008.3019,
title = {A New Strained-Silicon Channel Trench-gate Power MOSFET: Design and Analysis},
author = {Raghvendra S. Saxena and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3019},
year = {2010}
}
备注
http://web.iitd.ac.in/~mamidala