硅自旋 MOSFET 中栅极效应研究
应用物理
2020-01-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在基于 Si 的自旋金属-氧化物-半导体场效应晶体管（自旋 MOSFET）中，施加栅极电压会调制自旋积累电压，其中电导率与漂移速度均被改变而保持恒定电流不变。在高电偏置电流区间，观察到负栅压施加下 Si 自旋 MOSFET 中自旋积累电压的空前减小。为支持我们的论断，详细研究了栅压施加下自旋积累电压对电偏置电流的依赖关系，并与包含电导失配效应的自旋漂移扩散模型进行了比较。我们证明，Si 沟道中迁移率与自旋寿命的急剧下降源于高电偏置电流下的光学声子发射，从而致使自旋积累电压降低。
引用
@article{arxiv.1910.13072,
title = {Investigation of gating effect in Si spin MOSFET},
author = {Soobeom Lee and Fabien Rortais and Ryo Ohshima and Yuichiro Ando and Minori Goto and Shinji Miwa and Yoshishige Suzuki and Hayato Koike and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.13072},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 4 figures