具有铁磁性MnAs源漏接触的自旋MOSFET的磁电阻
材料科学
2010-02-02 v1
摘要
研究了具有铁磁性MnAs源漏(S/D)接触的自旋金属-氧化物-半导体场效应晶体管(自旋MOSFET)中的自旋相关输运。采用光刻技术，在绝缘体上硅(SOI)衬底上生长的MnAs外延薄膜上制备了底栅型自旋MOSFET。当在恒定的源漏和源栅偏压下进行测量时，面内磁电阻显示出自旋阀型磁滞行为。通过与MnAs接触引起的磁化相关电阻变化进行比较，我们得出结论：自旋极化电子从MnAs源极注入到Si MOS反型沟道中，并被MnAs漏极检测到。
引用
@article{arxiv.1002.0057,
title = {Magnetoresistance of a spin MOSFET with ferromagnetic MnAs source and drain contacts},
author = {Ryosho. Nakane and Tomoyuki Harada and Kuniaki Sugiura and Satoshi Sugahara and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0057},
year = {2010}
}
备注
14pages, 4figures