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基于WSe$_2$垂直自旋阀的自旋依赖传输理论研究

介观与纳米尺度物理 2026-04-07 v1

摘要

我们理论地研究了以 TMD 为基础的垂直自旋阀中的自旋依赖传输,以 WSe2_2 为典型例子。利用异结构的有效哈密顿量和 Landauer 公式,我们在传递矩阵方法中推导了传输和反射系数。计算得到的磁阻显示出当费米能级接近价带最大值时,WSe2_2 厚度的振荡依赖。进一步分析了势垒电压和交换场对磁阻的影响。我们还识别出磁阻的 Fabry-Pérot 类似干涉贡献,这在特定厚度范围内可以增强或甚至诱导出负磁阻。我们的结果为理解 WSe2_2 基自旋阀中观察到的负磁阻提供了定性理解,可能为设计可调谐的自旋电子器件提供有用的见解。

关键词

引用

@article{arxiv.2604.03762,
  title  = {Theoretical study of spin-dependent transport in WSe$_2$-based vertical spin valves},
  author = {Yibo Wang and Yuchen Liu and Xinhe Wang and Wang Yang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2604.03762},
  year   = {2026}
}

备注

16 pages, 7 figures