二碲化钨磁输运性质的厚度依赖性
材料科学
2021-10-27 v1
摘要
我们在磁输运研究中探究了不同厚度的二碲化钨(WTe)薄片的电子结构。温度依赖电阻与磁电阻(MR)测量均证实了由厚度减小引起的载流子平衡破缺,这抑制了“开启”行为与大正磁电阻。Shubnikov-de-Haas振荡研究进一步证实了WTe电子结构的厚度依赖变化,并揭示了可能的温度敏感电子结构变化。最后,我们报道了费米面的厚度依赖各向异性,其表明多层WTe是一种电子三维材料,且各向异性随厚度减小而降低。
引用
@article{arxiv.2104.14464,
title = {Thickness Dependence of Magneto-transport Properties in Tungsten Ditelluride},
author = {Xurui Zhang and Vivek Kakani and John M. Woods and Judy J. Cha and Xiaoyan Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.14464},
year = {2021}
}