WTe$_2$薄膜中厚度依赖的电子结构
介观与纳米尺度物理
2018-07-18 v1 材料科学
摘要
我们研究了厚度低至11 nm的不同厚度WTe薄膜的电子结构。角依赖的量子振荡揭示当样品厚度减小到26 nm以下时，从三维(3D)到二维(2D)电子系统的交叉。量子振荡进一步表明费米口袋随着样品变薄而变小，意味着导带和价带之间的重叠变小，并暗示空间限制可能在更薄样品中消除该重叠。此外，二次磁电阻(MR)也随着样品变薄显示出从3D到2D行为的交叉，而栅极调控被证明可通过调节载流子密度来影响薄样品的二次MR和量子振荡。
引用
@article{arxiv.1703.02741,
title = {Thickness dependent electronic structure in WTe$_2$ thin films},
author = {Fei-Xiang Xiang and Ashwin Srinivasan and Oleh Klochan and Shi-Xue Dou and Alex R. Hamilton and Xiao-Lin Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.02741},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 7 figures, supplementary material included