ARPES 观测揭示 WTe2 的能带结构不随温度变化
材料科学
2017-11-01 v2
摘要
在过渡金属二硫族化合物 WTe 中观测到的极大磁电阻 (XMR) 最近引起了广泛的研究兴趣，因为它在高达 60 T 的磁场下仍未显示出饱和迹象，此外还存在第二类外尔费米子。目前，关于能带结构变化对该化合物中温度依赖 XMR 的作用存在大量讨论。在这项工作中，我们利用角分辨光电子能谱 (ARPES) 和第一性原理计算研究了 WTe 的能带结构，以证明温度依赖的能带结构对温度依赖的 XMR 没有实质性影响，因为我们的测量未显示在 20 至 130 K 之间升高样品温度时能带结构发生变化。我们进一步观测到一个类电子表面态，其色散方式连接了体相类空穴带顶部和体相类电子带底部。有趣的是，与体态类似，该表面态也几乎不受样品温度影响。我们的结果为塑造 WTe 中温度依赖 XMR 的机制提供了宝贵信息。
引用
@article{arxiv.1705.09146,
title = {Temperature independent band structure of WTe2 as observed from ARPES},
author = {S. Thirupathaiah and Rajveer Jha and Banabir Pal and J. S. Matias and P. Kumar Das and I. Vobornik and R. A. Ribeiro and D. D. Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.09146},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 3 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1705.07217