WTe$_2$ 中巨大磁阻的电子结构基础
材料科学
2014-11-26 v1 强关联电子
摘要
通过角分辨光电子能谱研究了层状非磁性二碲化钨中极大磁阻的电子结构基础。在费米能级处发现了尺寸大致相同的空穴口袋和电子口袋，表明载流子补偿应被视为该效应的主要来源。该材料表现出高度各向异性的准一维费米面，由此导致了磁阻的显著各向异性。研究发现费米面随温度发生变化，并识别出一个高态密度能带，该能带可能在较高温度下主导导电并导致 WTe 中观测到的磁阻开启行为。
引用
@article{arxiv.1407.3576,
title = {Electronic structure basis for the titanic magnetoresistance in WTe$_2$},
author = {I. Pletikosić and Mazhar N. Ali and A. Fedorov and R. J. Cava and T. Valla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3576},
year = {2014}
}