二碲化钨中压力驱动的穹顶状超导电性及电子结构演化
超导电性
2015-07-24 v3 强关联电子
摘要
二碲化钨因最近发现其高达 60 特斯拉的大不饱和磁阻而引起了强烈的研究兴趣。受 5d 电子轨道存在微小且敏感的费米面的启发，我们通过施加高压提升了其电子性质，并成功引入了超导电性。超导电性在 2.5 GPa 压力下急剧出现，在约 16.8 GPa 时迅速达到 7 K 的最大临界温度 ()，随后 随压力增加而单调下降，从而呈现出典型的穹顶状超导相。通过理论计算，我们将超导穹顶的低压区域归因于费米能级处态密度的富集，并将高压下 的降低归因于可能的结构不稳定性。因此，二碲化钨可能为理解过渡金属二硫族化合物中的超导电性现象提供一个新的平台。
引用
@article{arxiv.1501.07394,
title = {Pressure-driven dome-shaped superconductivity and electronic structural evolution in tungsten ditelluride},
author = {Xing-Chen Pan and Xuliang Chen and Huimei Liu and Yanqing Feng and Zhongxia Wei and Yonghui Zhou and Zhenhua Chi and Li Pi and Fei Yen and Fengqi Song and Xiangang Wan and Zhaorong Yang and Baigeng Wang and Guanghou Wang and Yuheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.07394},
year = {2015}
}